ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ЗОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ SiO2 ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ БАРИЯ
В работе было исследовано влияние ионной имплантации и последующего отжига на параметры энергетических зон, эмиссионные свойства, а также на глубину (λ) выхода истинно вторичных электронов. Показано, что глубина выхода истинно вторичных электронов аморфной пле...