BARIY IONLARI BILAN IMPLANTATSIYA QILINGAN SiO2 NING ELEKTRON-ZONA PARAMETRLARINI TADQIQ ETISH

Referat

<p><em>Ushbu ishda ion implantatsiyasi va keyingi qizdirishning energiya diapazonlari parametrlariga, emissiya xususiyatlariga, shuningdek, haqiqiy ikkilamchi elektronlarning chiqish chuqurligiga (</em><em>λ</em><em>) ta'siri o'rganildi. Amorf kremniy oksidi plyonkasidan haqiqiy ikkilamchi elektronlarning chiqish chuqurligi 250-300Å ekanligi ko'rsatilgan. Ion implantatsiyasi ikkilamchi elektron emissiya koeffitsiyentini va haqiqiy ikkilamchi elektronlar chiqish sohasini 1,5-2 marta, kremniy oksidining ta’qiqlangan soha kengligini 0,3-0,4 eV ga, sirtni bariy atomlari bilan boyitishga olib keladi va sirt qatlamining biroz kristallanishi. Ion implantatsiyasi usulida olingan SiO2 plyonkasini T⁓ 900 - 1000 K gacha qizdirish </em><em>σ</em><em>m va </em><em>λ</em><em> ning kam miqdorda oshishiga (15 - 20% ga), ta’qiqlangan soha kengligini sezilarli o'sishiga (1,5 martagacha) olib keladi, bu natija bariy oksidining hosil bo'lishi bilan asoslanadi. Ion implantatsiyaning qizdirish natijasida SiO2 ning ta’qiqlangan soha kengligi va haqiqiy ikkilamchi elektronlar(</em><em>λ</em><em>)ning chiqish chuqurligini oshirishga olib keladi.</em></p>

Kalit so'zlar

Kalit so'zlar mavjud emas.

Adabiyotlar

1. Lieske N., Hezel R. Core and valence electron excitatione of amorphous silicon oxide and silicon nitride studies by energy electron loss spectroscopy//Thin Solid Films. 1979. V. 61. №2. P. 217-228.
2. Ibach H., Rowe J.E. Electron orbital energies of oxygen adsorbed on silicon surfaces and of silicon dioxide//Phys. Rev. 1974. V. B. 10. P. 710-718 .
3. Нормурадов М.Т., Шатурсунов Ш.Ш., Умирзаков Б.Е. Температурные зависимости ВЭ свойств образцов, легированных ионной бомбардировкой//Изб. АН УзР. Сер. физ.-мат. наук. 1977. №3. С. 70-73
4. Нормурадов М.Т., Шатурсунов Ш.Ш. Влияние ионного легирования окиси кремния на зону выхода ИВЭ//Тез. Докладов на XVI Всесоюзной конф. по эмис. электронике. Л.1978. С. 321.
5. Нормурадов М.Т., Умирзаков Б.Е. Энергетические спектры поверхности твердых тел, имплантированных ионами низких энергий. Ташкент: ФАН, 1989. 158 с
6. Умирзаков Б.Э., Нормурадов М.Т., Ташмухамедова Д.А., Ташатов А.К. Наноэпитакциальные пленка и герероструктура на основе кремния / Монография, Ташкент 2012, 184 с.
7. Чуева Т.Р., Молоканов В.В., Умнова Н.В., Умнов П.П. Исследование конструкционных аморфных проводов Cо сплава методом электронной микроскопии. // XXVII Российская конференция «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов». Черноголовка, 2018. Том 2. 2018.- с.76. DOI: 10.13140/RG.2.2.10093.44005
8. Tetelbaum D.I., Gerasimov A.I. On the high-dose effect in the case of ion implantation of silicon. // Semiconductors, Vol. 38, № 11, 2004, p. 1260-1262. doi.10.1134/1.1823055.
9. Некрашевич С.С., Гриценко В.А. Электронная структура оксида кремния // Физика твердого тела, 2014, том 56, вып. 2. с.209-222.
10. Гриценко В.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Перевалов Т.В. // Диэлектрики в наноэлектронике. Издательство СО РАН, Новосибирск (2010). 257 с.
11. Адамчук В.П. // Рентгеновские, электронные спектры и химическая связь. Межвуз. сб. Владивосток: Дальневосточный ун-т, 1986. с. 259.
12. Лифшиц В.Г. Котляр В.Г., Саранин А.А. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. № 12. С. 76.