ИССЛЕДОВАНИЕ ЭЛЕКТРОННО-ЗОННЫЕ ПАРАМЕТРЫ SiO2 ИМПЛАНТАЦИИ ИОНАМИ БАРИЯ

Аннотация

<p><em>В работе было исследовано влияние ионной имплантации и последующего отжига на параметры энергетических зон, эмиссионные свойства, а также на глубину (</em><em>λ</em><em>) выхода истинно вторичных электронов. Показано, что глубина выхода истинно вторичных электронов аморфной пленки окиси кремния составляет 250-300Å. Ионная имплантация приводит к увеличению коэффициента вторично электронно эмиссии и зоны выхода истинно вторичных электронов 1,5-2 раза, ширины запрещенной зоны окиси кремния на 0,3-0,4 эВ, к обогащению поверхности атомами бария и некоторой кристаллизацией приповерхностного слоя. Прогрев ионно-легированной пленки SiO₂ до Т⁓ 900 – 1000 К приводит к некоторому росту (на 15 - 20 %) σ_m и λ, существенному увеличению (до 1,5 раза) ширины запрещенной зоны, что связано с преимущественным образованием окислов бария. Ионная имплантация в сочетании с отжигом приводит к увеличению ширины запрещенной зоны </em><em>SiO</em><em>₂</em><em> и глубины выхода истинно вторичных электронов </em><em>λ</em><em>. </em></p>

Ключевые слова

Ключевые слова отсутствуют.

Литература

1. Lieske N., Hezel R. Core and valence electron excitatione of amorphous silicon oxide and silicon nitride studies by energy electron loss spectroscopy//Thin Solid Films. 1979. V. 61. №2. P. 217-228.
2. Ibach H., Rowe J.E. Electron orbital energies of oxygen adsorbed on silicon surfaces and of silicon dioxide//Phys. Rev. 1974. V. B. 10. P. 710-718 .
3. Нормурадов М.Т., Шатурсунов Ш.Ш., Умирзаков Б.Е. Температурные зависимости ВЭ свойств образцов, легированных ионной бомбардировкой//Изб. АН УзР. Сер. физ.-мат. наук. 1977. №3. С. 70-73
4. Нормурадов М.Т., Шатурсунов Ш.Ш. Влияние ионного легирования окиси кремния на зону выхода ИВЭ//Тез. Докладов на XVI Всесоюзной конф. по эмис. электронике. Л.1978. С. 321.
5. Нормурадов М.Т., Умирзаков Б.Е. Энергетические спектры поверхности твердых тел, имплантированных ионами низких энергий. Ташкент: ФАН, 1989. 158 с
6. Умирзаков Б.Э., Нормурадов М.Т., Ташмухамедова Д.А., Ташатов А.К. Наноэпитакциальные пленка и герероструктура на основе кремния / Монография, Ташкент 2012, 184 с.
7. Чуева Т.Р., Молоканов В.В., Умнова Н.В., Умнов П.П. Исследование конструкционных аморфных проводов Cо сплава методом электронной микроскопии. // XXVII Российская конференция «Современные методы электронной и зондовой микроскопии в исследованиях органических, неорганических наноструктур и нанобиоматериалов». Черноголовка, 2018. Том 2. 2018.- с.76. DOI: 10.13140/RG.2.2.10093.44005
8. Tetelbaum D.I., Gerasimov A.I. On the high-dose effect in the case of ion implantation of silicon. // Semiconductors, Vol. 38, № 11, 2004, p. 1260-1262. doi.10.1134/1.1823055.
9. Некрашевич С.С., Гриценко В.А. Электронная структура оксида кремния // Физика твердого тела, 2014, том 56, вып. 2. с.209-222.
10. Гриценко В.А., Тысченко И.Е., Попов В.П., Перевалов Т.В. // Диэлектрики в наноэлектронике. Издательство СО РАН, Новосибирск (2010). 257 с.
11. Адамчук В.П. // Рентгеновские, электронные спектры и химическая связь. Межвуз. сб. Владивосток: Дальневосточный ун-т, 1986. с. 259.
12. Лифшиц В.Г. Котляр В.Г., Саранин А.А. // Поверхность. Физика, химия, механика. 1984. № 12. С. 76.